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星宇芯联 SG803 GPS L1/BD B1+BD B2/B3双通道射频芯片

品牌:星宇芯联

型号:SG803

名称:GPS L1/BD B1+BD B2/B3双通道射频芯片

尺寸:5mm x 5mm x 1mm


SG803是我公司基于CMOS工艺研发的一款可以完成GPS L1/BD B1+BD B2/B3四频点信号接收的双通道射频芯片,支持双通道同时独立工作。采用镜像抑制结构,片内集成了滤波器, 芯片带有ESD防护,并具有良好的线性度和抗干扰能力。此射频芯片采用40 脚QFN封装





管脚定义(Pin Name Definition)

编号 名字 描述

1 RFB3 B2/B3通道的射频信号输入端

2 NC

3 VCC 电源

4 NC

5 NC

6 VCC 电源

7 NC

8 VCC 电源

9 RFB1 B1/L1通道的射频信号输入端

10 NC

11 VCC 电源

12 VTUNEB1 VCO压控输入

13 VCC 电源

14 OSCIN 晶振输入

15 VCC 电源

16 NC

17 IFB1N B1/L1模拟中频输出负端口

18 IFB1P B1/L1模拟中频输出正端口

19 NC

20 CS SPI 片选

21 SCLK SPI 时钟

22 SDATA SPI 数据输入输出端口

23 B1

B1/L1通道数字中频ADC输出

24 B1

25 B1

26 B1

27 B3

B2/B3通道数字中频ADC输出

28 B3

29 B3

30 B3

31 CLKOUT CLK时钟输出

32 ADC_EN ADC硬线控制开关

33 IFB3P B2/B3模拟中频输出正端口

34 IFB3N B2/B3模拟中频输出负端口

35 EN_B2B3 B2/B3通道频点选择控制开关

36 EN_B1L1 B1/L1通道频点选择控制开关

37 VTUNECLK VCO压控输入

38 VCC 电源

39 VTUNEB3 VCO压控输入

40 VCC 电源

电气指标(Preliminary Electrical Target Specifications

下面为SG803芯片的电性能。表1为绝对最大额定值。表2为芯片推荐工作条件。表3为芯片在北斗导航系统工作条件下的电性能指标。


1 绝对最大额定值

参数 单位

供电电压 +4 V

输入功率 -30 dBm

工作温度 -40 to +85 °C

储存温度 -55 to +150 °C






2 推荐工作条件

参数 最小 正常 最大 单位

供电电压 3.0 3.3 3.6 V

数字接口电平 3.0 3.3 3.6 V

工作温度 -40 +20 +85 °C

3 电性能参数

(测试条件:VCC=3.3VT=20)

参数 条件 最小 典型 最大

射频输入频率(MHz GPS L1频段 1575.42

BD B1频段 1561.098

BD B2频段 1207.14 

BD B3频段 1268.52 

中频输出频率(MHz L1 15.58

B1 15.902 

B2 15.86 

B3 15.48 

双通道全开电流(mA) VCC=3.3V 60

B1/L1通道工作电流(mA) 30

B2/B3通道工作电流(mA) 30

输入1dB压缩功率(dBm) -40

噪声系数(dB) 5

AGC范围(dB 50

镜像抑制比(dB 40

通道增益(dB 90

参考时钟频率(MHz 10

相位噪声(dBc/Hz @ 100Hz offset -75

@ 1KHz offset -80

@ 10KHz offset -85

@ 100KHz offset -95

封装信息 (PACKAGING INFORMATION)

 


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